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三星电子宣布率先量产第二代10纳米级DRAM
张夫山
⋅
2017-12-22
发布
阅读:945
次 ⋅
三星
半导体
DRAM
2017年12月20日,韩国三星电子12月20日宣布,已启动第二代10纳米级DRAM的量产。三星通过微细化将生产效率提高了3成,将应对全球不断增长的数据中心需求。三星在半导体存储器领域居全球首位,将在尖端产品的量产方面领跑,以甩开美国、日本竞争对手。三星电子的华城工厂(京畿道华城市),来自日经中文网...
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