三星电子宣布率先量产第二代10纳米级DRAM

2017年12月20日，韩国三星电子12月20日宣布，已启动第二代10纳米级DRAM的量产。三星通过微细化将生产效率提高了3成，将应对全球不断增长的数据中心需求。三星在半导体存储器领域居全球首位，将在尖端产品的量产方面领跑，以甩开美国、日本竞争对手。

三星电子的华城工厂（京畿道华城市），来自日经中文网

据三星公司称，这次启动量产的DRAM，容量达到了8GB。由于采用了新的设计方法，新DRAM的数据传输速度提升了10%，耗电量降低超过了15%，这对于数据中心的服务器是好消息。

三星早在2016年2月就启动了10纳米级DRAM的量产。为了继续在存储芯片领域占据主导地位，三星已经全面转向了10纳米级别的DRAM研发。

从IHS Markit的统计数据来看，排名第2的韩国SK海力士占据27.9%的全球份额。SK海力士在2017年秋季启动了18纳米DRAM的量产，但占比不到10%，相比之下，三星已经超过50%的产品已经是10纳米，由此可见，三星公司希望引领10纳米级DRAM芯片市场。

据工业4.0头条观察，由于大数据、人工智能等的大量应用，使得存储芯片的需求大幅增长。毫无疑问，三星希望可以借此突破过去的增长速度。

三星电子公司持续对半导体工厂进行大量投资，已经在DRAM市场占据44.5%的份额，高居全球市场首位。加上排名第二和第三的SK海力士和美国美光科技，DRAM市场已经形成了三巨头垄断的格局，三家公司占据了95.3%的份额。

对于正在大力投入发展半导体产业的中国来讲，一方面要大力进行先进技术和产品的研发，另外一方面，还需要应对全球半导体并购等结构性力量的影响，这是中国制造2025推进中所难免的挑战。